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AP18P10GI

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=160mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

AP18P10GI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

AP18P10GI_14

Simple Drive Requirement

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

AP18P10GJ-HF

FastSwitchingCharacteristic

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

AP18P10GK-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

AP18P10GS

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

AP18P10GS-HF

FastSwitchingCharacteristic

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

CJU18P10

P-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

FTK18P10D

-100V/-18AP-ChannelPowerMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

HM18P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APEC/富鼎
24+
TO220F
388
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APEC/富鼎
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原装MOS管(场效应管).
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NA
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更多AP18P10GI供应商 更新时间2025-7-25 16:36:00