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MBR1635CT	文件：925.24 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1635CT	文件：925.12 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1635CT	文件：936.35 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1635CT	文件：925.22 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1635CT	文件：936.4 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1635CT	文件：936.5 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1635CT	文件：935.97 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1635CT	文件：919.6 Kbytes Page：2 Pages	16AmpSchottkyBarrierRectifier20to60Volts Features •HighSurgeCapacity,HighCurrentCapability •LowPowerLoss,HighEfficiency •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixDesignatesCompl	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MBR1635CT	文件：237.21 Kbytes Page：2 Pages	16Ampschottkybarrierrectifier20to60volts Features ●Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ●Guardringfortransientprotection ●Lowpowerlosshighefficiency ●Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MBR1635CT	文件：151.88 Kbytes Page：3 Pages	16AmpSchottkyBarrierRectifier20to60Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MBR1635-F-CT	文件：1.27669 Mbytes Page：3 Pages	TO-220Plastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MBR1635G	文件：68.71 Kbytes Page：5 Pages	SwitchModePowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR1635G	文件：107.1 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers16A,35and45V SWITCHMODE™PowerRectifiers16A,35and45V Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal. Features •Guard−ringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR1635PBF	文件：108.95 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,16A DESCRIPTION TheMBR16..Schottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,and	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1635PBF	文件：183.73 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER16Amp(IF(AV)=16Amp,VR=35-45V) Description/Features TheMBR16..PbFSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelin	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
MBR1635PBF	文件：153.83 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyRectifier,16A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1635PT	文件：209.28 Kbytes Page：2 Pages	DUALSCHOTTKYRECTIFIERS Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR1635PT	文件：1.99851 Mbytes Page：2 Pages	DualSchottkyRectifiers Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR1635R	文件：353.53 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-35to60V ForwardCurrent-16A Features •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Highcurrentcapability •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverte	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
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产品属性

产品编号：
AP1635SA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
2.2V
电压 - 输入（最大值）：
5V
电压 - 输出（最小值/固定）：
2V
电压 - 输出（最大值）：
5V
电流 - 输出：
1.2A
频率 - 开关：
700kHz
同步整流器：
无
工作温度：
-25°C ~ 80°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.2A 8SOP

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