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APE1004	文件：293.89 Kbytes Page：6 Pages	verylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU GeneralDescription TheAPExx04seriesareverylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU.Theyhavevariousfeaturesincluding4-bitsALU,ROM,RAM,I/Oports,timers,clockgenerator,voiceandmelodysynthesizer,andPWM(Directdrive)output,etc.Theaudiosynthesizercontainson	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
APE1004H	文件：88.37 Kbytes Page：3 Pages	THESLIMPOWERRELAY FEATURES •Slimsize 28mm(L)×5mm(W)×15mm(H) 1.102inch(L)×.197inch(W)×.591inch(H) permitshighdensitymounting •Wideswitchingcapacity:100mA/12VDC-6A/250VAC •Highsensitivity:170mW •Highbreakdown(4,000V)andsurge(6,000V)voltagebetweencontactsand	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
APT1004	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RAN	文件：310.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RBN	文件：50.93 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RBN	文件：361.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RCN	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RCN	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RDN	文件：332.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RGN	文件：50.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

详细参数

型号：
AP1004
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AP1004CMX	APEC/富鼎	23+	MX	62368	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	AP1004CMXMOS(场效应管)	APEC/富鼎	23+	MX	62368		询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	AP1004CMX	APEC/富鼎	24+	NA/	62368	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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更多AP1004供应商更新时间2025-7-18 14:50:00

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