AP01N60I中文资料N-Channel Mosfet数据手册APM规格书
AP01N60I规格书详情
描述 Description
AP01N60I采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至2.0V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
特性 Features
VDS = 600V，ID = 0.021A
RDS（ON）<75mΩ
@ V GS =10V RDS（ON）<100mΩ
@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力
无铅产品
SOT23表贴封装
应用 Application
●PWM应用
●负载开关
技术参数
- 制造商编号
：AP01N60I
- 生产厂家
：APM
- 耐压
：600V
- 栅源电压
：±20
- 开启电压
：2.0V
- 内阻（Max)10v
：75mΩ
- 内阻(Max)4.5v
：100mΩ
- ESD
：NO
- 状态
：量产
- 封装
：SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APEC/富鼎 |
24+ |
TO251 |
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