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22N50	文件：59.9 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOK22N50	文件：441.45 Kbytes Page：5 Pages	500V,22AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOK22N50isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartscanbead	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK22N50	文件：325.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOTF22N50	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOTF22N50	文件：539.8 Kbytes Page：6 Pages	500V,22AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT22N50&AOTF22N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchcapabili	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
FDP22N50N	文件：563.24 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,22A,0.22廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
AOT22N50L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 22A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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