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AOT20B65M1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
AOT20B65M1规格书详情
描述 Description
AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。
• 更低的导通损耗
• 更低的开关损耗
• 更低的EMI性能
• 更高的坚固性
技术参数
- 制造商编号
:AOT20B65M1
- 生产厂家
:AOS
- Package
:TO220
- Configuration
:IGBT with Anti-Parallel Diode
- Qg (nC)
:46
- Qrr (nC)
:800
- VF (V)
:1.66
- VCE max (V)
:650
- VCE(SAT) typ (V)
:1.70
- Ic max @ 25C (A)
:40
- Ic max @ 100C (A)
:20
- EON (mJ)
:0.47
- EOFF (mJ)
:0.27
- IRM (A)
:5.20
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
4881 |
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AOS/万代 |
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TO-220 |
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AOS/万代 |
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TO220 |
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AOS/万代 |
23+ |
TO220 |
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AO/万代 |
24+ |
TO-220 |
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AOS/万代 |
22+ |
TO220 |
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原装正品 |
询价 | ||
ALPHAO |
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TO-220 |
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TO220 |
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AOS/万代 |
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TO-220 |
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