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AOT11S65L中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

AOT11S65L

功能描述

650V 11A a MOS TM Power Transistor

文件大小

580.56 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 23:00:00

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AOT11S65L规格书详情

General Description

The AOT11S65L & AOB11S65L & AOTF11S65L

& AOTF11S65 have been fabricated using the

advanced aMOSTM high voltage process that is

designed to deliver high levels of performance and

robustness in switching applications.

By providing low RDS(on), Qg

and EOSS along with

guaranteed avalanche capability these parts can

be adopted quickly into new and existing offline

power supply designs.

产品属性

  • 型号:

    AOT11S65L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 11A TO220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    aMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AO/万代
24+
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8016
原装现货,当天可交货,原型号开票
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AOS/ 万代
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TO-220-3
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