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AOT10B65M1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

AOT10B65M1

参数属性

AOT10B65M1 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 10A TO220

功能描述

AlphaIGBT™

封装外壳

TO-220-3

制造商

AOS Alpha & Omega Semiconductor(AOS)

中文名称

美国万代 美国万代半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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AOT10B65M1规格书详情

描述 Description

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。

• 更低的导通损耗
• 更低的开关损耗
• 更低的EMI性能
• 更高的坚固性

技术参数

  • 制造商编号

    :AOT10B65M1

  • 生产厂家

    :AOS

  • Package

    :TO220

  • Configuration

    :IGBT with Anti-Parallel Diode

  • Qg (nC)

    :24

  • Qrr (nC)

    :400

  • VF (V)

    :1.90

  • VCE max (V)

    :650

  • VCE(SAT) typ (V)

    :1.60

  • Ic max @ 25C (A)

    :20

  • Ic max @ 100C (A)

    :10

  • EON (mJ)

    :0.18

  • EOFF (mJ)

    :0.13

  • IRM (A)

    :3.80

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