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NDL7514P	文件：61.3 Kbytes Page：8 Pages	InGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHPULSEDLASERDIODEMODULE1550nmOTDRAPPLICATION SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7514P	文件：61.37 Kbytes Page：8 Pages	InGaAsPMQWDC-PBHPULSEDLASERDIODEMODULE1310nmOTDRAPPLICATION DESCRIPTION TheNDL7515PSeriesisa1310nmnewlydevelopedMultipleQuantumWell(MQW)structurepulsedlaserdiodemodulewithsinglemodefiber.Itisdesignedforlightsourceofopticalmeasurementequipment(OTDR). FEATURES •OutputpowerPf=20mWMIN.@IFP=400mA,TC=25°C*1 •Lo	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7514P	文件：63.59 Kbytes Page：8 Pages	InGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHPULSEDLASERDIODEMODULE1310nmOTDRAPPLICATION SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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NDL7514PC	文件：198.21 Kbytes Page：10 Pages	LASERDIODE InGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHPULSEDLASERDIODEMODULE 1310nmOTDRAPPLICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
AON7514
功能描述：
MOSFET N CH 30V 30A DFN 3x3 EP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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