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ISL6206	文件：97.82 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriver TheISL6206isahighvoltage,highfrequency,dualMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopologyinmobilecomputingapplications.ThisdrivercombinedwithanIntersilMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformsacompletes	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6206	文件：392.33 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriver Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •30VOperationVoltage •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay15ns •Three-stateInputforOutputStageShutdown •InternalBootstrapSchottkyDiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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ISL6206CB-T	文件：97.82 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriver TheISL6206isahighvoltage,highfrequency,dualMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopologyinmobilecomputingapplications.ThisdrivercombinedwithanIntersilMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformsacompletes	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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KB6206	文件：79.12 Kbytes Page：6 Pages	LowESRCap.CompatiblePositiveVoltageRegulators	KINGBOR Kingbor Technology Co	KINGBOR
KIA6206F	文件：198.48 Kbytes Page：9 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALHEADPHONEDRIVER(1.5VUSE) DUALHEADPHONEDRIVER(1.5VUSE)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L6206	文件：1.53085 Mbytes Page：53 Pages	APPLICATIONNOTE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6206	文件：413.78 Kbytes Page：23 Pages	DMOSDUALFULLBRIDGEDRIVER DESCRIPTION TheL6206isaDMOSDualFullBridgedesignedformotorcontrolapplications,realizedinMultiPowerBCDtechnology,whichcombinesisolatedDMOSPowerTransistorswithCMOSandbipolarcircuitsonthesamechip.AvailableinPowerDIP24(20+2+2),PowerSO36andSO24(20+2+2)packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
AON6206
功能描述：
MOSFET N CH 30V 24A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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