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ESVOA-CC6202	文件：165.75 Kbytes Page：3 Pages	ElectrostaticMEMSVariableOpticalAttenuator	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
ESVOA-CL6202	文件：165.75 Kbytes Page：3 Pages	ElectrostaticMEMSVariableOpticalAttenuator	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
ESVOA-OC6202	文件：165.75 Kbytes Page：3 Pages	ElectrostaticMEMSVariableOpticalAttenuator	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
ESVOA-OL6202	文件：165.75 Kbytes Page：3 Pages	ElectrostaticMEMSVariableOpticalAttenuator	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
ET6202	文件：713.67 Kbytes Page：14 Pages	ControlLEDdrivecircuit Features CMOStechnology Low-power Avarietyofdisplaymodes:choiceofsettings,andthenumberofspaces(4to7,10to13) Scanbutton:10×2matrix 8levelsofbrightnessadjustmentcircuit 4-wireserialinterface *PackageforSOP28	ETEKWuxi ETEK Micro-Electronics Co.,Ltd. 力芯微无锡力芯微电子股份有限公司	ETEK
F6202	文件：252.66 Kbytes Page：3 Pages	Single-beamRxActiveBeamformingIC17.7–21.2GHz Features 17.7–21.2GHzoperation Supports4dual-polor8single-polelements IntegratedHi-Qtransmitrejectfilter 28dBtypicalchannelgain 26dBgaincontrolwith0.45dBstepsize 360°phasecontrolwith6-bitresolution 2.3Vand1Vnominalsupplyinputs Standard1.8Vd	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F6202AVGI	文件：252.66 Kbytes Page：3 Pages	Single-beamRxActiveBeamformingIC17.7–21.2GHz Features 17.7–21.2GHzoperation Supports4dual-polor8single-polelements IntegratedHi-Qtransmitrejectfilter 28dBtypicalchannelgain 26dBgaincontrolwith0.45dBstepsize 360°phasecontrolwith6-bitresolution 2.3Vand1Vnominalsupplyinputs Standard1.8Vd	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F6202EVS	文件：252.66 Kbytes Page：3 Pages	Single-beamRxActiveBeamformingIC17.7–21.2GHz Features 17.7–21.2GHzoperation Supports4dual-polor8single-polelements IntegratedHi-Qtransmitrejectfilter 28dBtypicalchannelgain 26dBgaincontrolwith0.45dBstepsize 360°phasecontrolwith6-bitresolution 2.3Vand1Vnominalsupplyinputs Standard1.8Vd	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
GM6202	文件：972.06 Kbytes Page：3 Pages	Three-terminalVoltageRegulator	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
HM6202	文件：1.00594 Mbytes Page：5 Pages	NocapacitorCLlowpowercurrentLDOlinearregulator	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

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详细参数

型号：
AON6202
功能描述：
MOSFET N CH 30V 24A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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