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KPE4703A	文件：180.47 Kbytes Page：5 Pages	-8A竊?30VP-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KSF4703	文件：864.97 Kbytes Page：3 Pages	PSchottkyHybridMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LS4703	文件：203.18 Kbytes Page：5 Pages	500mWSiliconZenerDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
LTM4703	文件：3.72105 Mbytes Page：32 Pages	16VIN,12AUltralowNoiseSilentSwitcher3μModuleRegulator FEATURES APPLICATIONS nCompleteSolutionin	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTM4703	文件：1.12612 Mbytes Page：38 Pages	20VIN,20AStep-DownDC-to-DCμModuleRegulator FEATURES CompleteSolutionin	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTM4703EYPBF	文件：3.72105 Mbytes Page：32 Pages	16VIN,12AUltralowNoiseSilentSwitcher3μModuleRegulator FEATURES APPLICATIONS nCompleteSolutionin	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTM4703IYPBF	文件：3.72105 Mbytes Page：32 Pages	16VIN,12AUltralowNoiseSilentSwitcher3μModuleRegulator FEATURES APPLICATIONS nCompleteSolutionin	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
M4703	文件：833.07 Kbytes Page：15 Pages	M4703SERIESDC/DCPOWERSUPPLY PRODUCTHIGHLIGHTS VITA62COMPLIANT 6UVPXFORMFACTOR SOSATMALIGNED DC/DCCONVERTER Upto1200WSteadyState CyberSecure	ENERCON Enercon Technologies Europe AG	ENERCON
MMBZ4703	文件：84.34 Kbytes Page：4 Pages	AEC-Q101qualifiedavailable FEATURES •SiliconplanarZenerdiodes •StandardZenervoltagetoleranceis±5. •AEC-Q101qualifiedavailable •ESDcapabilityaccordingtoAEC-Q101: Humanbodymodel>8kV Machinemodel>800V •BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercialgrade •BaseP/N-HE3-RoHS-compliant,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMBZ4703	文件：40.39 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES ♦SiliconPlanarZenerDiodes ♦StandardZenervoltagetoleranceis±5.Othertolerancesareavailableuponrequest ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10secondsatterminals. ♦ThesediodesarealsoavailableinDO-35casewiththetypedesignation1N4681...1N4717andS	GE GE Industrial Company	GE

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详细参数

型号：
AON4703
功能描述：
MOSFET P-CH -20V -3.4A 8-DFN
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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