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AOD606规格书详情
General Description
The AOD606 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard product AOD606 is Pbfree (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD606L is a Green Product ordering option. AOD606 and AOD606L are electrically identical.
Features
n-channel p-channel
VDS (V) = 40V -40V
ID = 8A (VGS=10V) -8A (VGS = -10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 33 mΩ (VGS=10V) < 50 mΩ (VGS = -10V)
产品属性
- 型号：
AOD606
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 40V TO252-4
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS美国万代 |
23+ |
TO252-4 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
TO252-4.5 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
AO |
TO2524L |
7906200 |
询价 | ||||
AOS美国万代 |
23+ |
TO252-4 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
AOS |
23+ |
TO-252 |
700000 |
公主请下单 柒号只做原装 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+23+ |
TO-252-5 |
12580 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
AOS |
23+ |
TO252 |
8560 |
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询价 | ||
AOS美国万代 |
22+ |
TO252-4 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
AOS/万代 |
15+ |
TO-220F |
660 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
Alpha & Omega Semiconductor In |
22+ |
TO2524L |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
