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BMA456	文件：3.69736 Mbytes Page：103 Pages	Digital,triaxialaccelerationsensor Keyfeatures •Smallpackagesize LGApackage(12pins),footprint2mmx2mm,height0.65mm •Digitalinterface SPI(4-wire,3-wire),I²C,2interruptpins VDDIOvoltagerange:1.2Vto3.6V •Programmablefunctionality Accelerationranges±2g/±4g/±8g/±16g Low-passfilterbandwidths684Hz	boschBosch Sensortec GmbH 博世博世半导体	bosch
BMR456	文件：2.23529 Mbytes Page：49 Pages	2013-2013-FullyregulatedAdvancedBusConvertersInput36-75V,Outputupto39A/468W	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
BUK456	文件：61.6 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BZA456A	文件：70.38 Kbytes Page：12 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor DESCRIPTION MonolithictransientvoltagesuppressordiodeinasixleadSOT457(SC-74)packagefor4-bitwideESDtransientsuppressionat5.6Vlevel. FEATURES •ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 •SOT457surfacemountpackage •Commonanodeconfiguration •Non-clampingrange−0.5	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BZA456A	文件：328.22 Kbytes Page：11 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor FEATURES •ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 •SOT457surfacemountpackage •Commonanodeconfiguration •Non-clampingrange−0.5to5.6V •Maximumreversepeakpowerdissipation: 24Wattp=1ms •Maximumclampingvoltageatpeakpulsecurrent: 8VatIZSM=3A. APPLICATIONS •Co	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
CH456	文件：184.72 Kbytes Page：7 Pages	16bitdigitaltubedriveandkeyboardcontrolchip	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 沁恒微电子南京沁恒微电子股份有限公司	WCH
CH456G	文件：184.72 Kbytes Page：7 Pages	16bitdigitaltubedriveandkeyboardcontrolchip	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 沁恒微电子南京沁恒微电子股份有限公司	WCH
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详细参数

型号：
AOD456L
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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