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AOD452规格书详情
General Description
The AOD452 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.
Standard product AOD452 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD452L is a Green Product ordering option. AOD452 and AOD452L are electrically identical.
特性 Features
VDS (V) =25V
ID = 55 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 8.5 mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON)
产品属性
- 型号：
AOD452
- 功能描述：
MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
2016+ |
TO252 |
4000 |
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AOS |
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AOS/万代 |
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TO252 |
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TO-252 |
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AOS万代 |
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AOS/万代 |
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TO-252 |
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AOS |
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TO-252 |
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