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AOGW402-S	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation 和泉电气IDEC株式会社	IDEC
AOGW402-W	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation 和泉电气IDEC株式会社	IDEC
AOGW402-Y	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation 和泉电气IDEC株式会社	IDEC
AOI402	文件：960.86 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI402	文件：330.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT402	文件：68.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOT402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOT4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT402	文件：297.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=105V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT402L	文件：68.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOT402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOT4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU402	文件：73.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU402	文件：960.06 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
AOD402N-R
制造商：
IDEC
类别：
开关 > 按钮开关
包装：
散装
描述：
PUSHBUTTON 30MM

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更多AOD402N-R供应商更新时间2025-7-14 10:31:00

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