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AOCR35101E数据手册AOS中文资料规格书

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厂商型号

AOCR35101E

功能描述

低压共漏电池 MOSFET

制造商

AOS Alpha & Omega Semiconductor(AOS)

中文名称

美国万代 美国万代半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:47:00

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AOCR35101E规格书详情

描述 Description

12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :AOCR35101E

  • 生产厂家

    :AOS

  • Package

    :MRigidCSP3.2x1.95-10L

  • Configuration

    :Common Drain

  • Polarity

    :N

  • Vss (V)

    :12

  • VGS (±V)

    :8

  • IS @ 25°C (A)

    :45

  • PD @ 25°C (W)

    :2.80

  • Qg (4.5V)(nC)

    :50

  • VGS(th) max (V)

    :1.20

  • tD(on) (ns)

    :4.50

  • tD(off) (ns)

    :3.50

  • Qualification

    :Industrial

  • ESD Diode

    :Yes

  • Tj max (°C)

    :150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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