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AOB11S65L中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

AOB11S65L
厂商型号

AOB11S65L

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

丝印标识

D2PAK

封装外壳

TO-263

文件大小

1.0389 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
VBSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:00:00

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AOB11S65L规格书详情

FEATURES

• Reduced trr, Qrr, and IRRM

• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

• Low input capacitance (Ciss)

• Low switching losses due to reduced Qrr

• Ultra low gate charge (Qg)

• Avalanche energy rated (UIS)

APPLICATIONS

• Telecommunications

- Server and telecom power supplies

• Lighting

- High-intensity discharge (HID)

- Fluorescent ballast lighting

• Consumer and computing

- ATX power supplies

• Industrial

- Welding

- Battery chargers

• Renewable energy

- Solar (PV inverters)

• Switch mode power supplies (SMPS)

产品属性

  • 型号:

    AOB11S65L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 11A TO263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    aMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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