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厂商型号

AO4629

功能描述

30V Complementary MOSFET

文件大小

855.03 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-7 23:01:00

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AO4629规格书详情

General Description

AO4629 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications.

Product Summary

N-Channel P-Channel

VDS = 30V -30V

ID = 6A (VGS =10V) -5.5A (VGS =-10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 30mΩ(VGS=10V) < 41mΩ(VGS =-10V)

< 42mΩ(VGS=4.5V) < 74mΩ(VGS =-4.5V)

100 UIS Tested 100 UIS Tested

100 Rg Tested 100 Rg Tested

产品属性

  • 型号:

    AO4629

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 30V 6/5.5A 8SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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