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AO4443规格书详情
描述 Description
The AO4443 uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
General Features
VDS = -40V ID = -8 A
RDS(ON) < 37mΩ @ VGS=10V
Application
Battery protection
Load switch
Uninterruptible power supply
产品属性
- 型号：
AO4443
- 功能描述：
MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
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NA/ |
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AOS |
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