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AO4433规格书详情
General Description
The AO4433 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard product AO4433 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4433L is a Green Product ordering option. AO4433 and AO4433L are electrically identical.
Features
VDS (V) = -30V
ID = -11 A (VGS = -20V)
RDS(ON) < 14mΩ (VGS = -20V)
RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -10V)
ESD Rating: 1.5KV HBM
产品属性
- 型号：
AO4433
- 功能描述：
MOSFET P-CH -30V -11A 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
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SOP8 |
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