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AND412HG	文件：56.2 Kbytes Page：2 Pages	Ultra Bright LED Lamps	PURDY Purdy Electronics Corporation	PURDY
ANNA-B412	文件：1.96702 Mbytes Page：33 Pages	Stand-aloneBluetooth5.1lowenergymodule	U-BLOXu-blox A G AGu-blox AG	U-BLOX
ANY412-SSNR	文件：3.72886 Mbytes Page：479 Pages	AVR짰MicrocontrollerwithCoreIndependentPeripheralsandpicoPower짰technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AOB412L	文件：282.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB412L	文件：313.05 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT412&AOB412LarefabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchinga	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD412	文件：115.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD412usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD412isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD412	文件：1.00097 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD412	文件：318.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD412L	文件：115.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD412usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD412isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT412	文件：315.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSDMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT412andAOT412LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AND412HG
制造商：
AND Displays/Purdy Electronics
功能描述：
LED; PCB ;Green;2200mcd;5mm;T-1-3/4;30mA;3.5V;505nm;12deg;InGaN;Clear;5V;120
制造商：
AND Optoelectronics/Purdy Electronics
功能描述：
LED, BLUE GREEN, T-1 3/4(5MM), 2.2CD, 510NM; Bulb
Size：
T-1 3/4(5mm); LED
Color：
Blue Green; Luminous
Intensity：
2.2cd; Viewing
Angle：
12; Forward Current
If：
20mA; Forward
Voltage：
3.5V; LED
Mounting：
Through Hole; Lens
Shape：
Round ;RoHS
Compliant：
Yes

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