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AN8090	文件：191.58 Kbytes Page：6 Pages	OVERVOLTAGE PROTECTIVE CIRCUIRS BUILT-IN SWITCHING POWER SUPPLY Overview TheAN8090andtheAN8090Senableshigh-speedcontrolupto500kHzandhavevariousprotectivefunctionsforover-current,overvoltage,andthermalprotectionnordertoimprovereliabilityofthepowersupply.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AN8090S	文件：191.58 Kbytes Page：6 Pages	OVERVOLTAGE PROTECTIVE CIRCUIRS BUILT-IN SWITCHING POWER SUPPLY Overview TheAN8090andtheAN8090Senableshigh-speedcontrolupto500kHzandhavevariousprotectivefunctionsforover-current,overvoltage,andthermalprotectionnordertoimprovereliabilityofthepowersupply.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AND8090	文件：896.72 Kbytes Page：20 Pages	ACCharacteristicsofECLDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AND8090D	文件：156.81 Kbytes Page：11 Pages	3.3V/5VECL2-InputDifferentialXOR/XNOR Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AND8090D	文件：896.72 Kbytes Page：20 Pages	ACCharacteristicsofECLDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
APT8090AN	文件：309.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT8090BN	文件：49.96 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8090BN	文件：361.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT8090HN	文件：298.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AW8090A	文件：992.84 Kbytes Page：14 Pages	1.25WClass-ABAudioPowerAmplifierwithRFNoiseSuppression	AWINICShanghai awinic technology co.,ltd 艾为电子上海艾为电子技术股份有限公司	AWINIC

详细参数

型号：
AN8090
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
IC

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