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AN5870	文件：101.27 Kbytes Page：14 Pages	Wide bandwidth analog switch IC ■Overview TheAN5870KisawidebandwidthanalogswitchICof300MHzoperation.ItisusableforRGBsignalandhorizontal/verticalsynchronizingsignals,andithasabuilt-in75Ωdriverforvideosignal.Inaddition,ithasalsorealizedahighspeedoperationbytheadoptionofCMOSprocess	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AN5870K	文件：101.27 Kbytes Page：14 Pages	Wide bandwidth analog switch IC ■Overview TheAN5870KisawidebandwidthanalogswitchICof300MHzoperation.ItisusableforRGBsignalandhorizontal/verticalsynchronizingsignals,andithasabuilt-in75Ωdriverforvideosignal.Inaddition,ithasalsorealizedahighspeedoperationbytheadoptionofCMOSprocess	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AN5870K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：30-SDIP（0.400"，10.16mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）模拟开关 - 特殊用途描述：IC SWITCH VIDEO RGB 2:1 30SDIP	PanasonicElectronicComponents Panasonic Electronic Components	PanasonicElectronicComponents
BP5870	文件：1.00138 Mbytes Page：2 Pages	Worldwideinput,andbuiltinPFCACinput,andisolatedHigh-powerLEDDriverforIllumination Worldwideinput,andbuiltinPFC ACinput,andisolatedHigh-powerLEDDriverforIllumination	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CPH5870	文件：71.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFET,SchottkyBarrierDiode,General-PurposeSwitchingDeviceApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaN-channelsilliconMOSFETandaschottkybarrierdiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •2.5Vdriv	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTE5870	文件：24.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: •HighSurgeCurrentCapability •HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5870	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: •HighSurgeCurrentCapability •HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5870	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: •HighSurgeCurrentCapability •HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
S5870	文件：124.96 Kbytes Page：2 Pages	Multi-elementphotodiodesforsurfacemounting	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
ST5870	文件：95.45 Kbytes Page：4 Pages	PhotoTransistor Features •Lensedforhighsensitivity •φ5mm(T-13/4)allplasticmoldtype •Highreliabilityandstablecharacteristics •Visiblelightcut-offtype •Withbaseterminal	AUK AUK corp	AUK

详细参数

型号：
AN5870
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Wide bandwidth analog switch IC

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