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AOB430	文件：128.25 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB430	文件：321.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=63mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB430L	文件：128.25 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB430Y	文件：131.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430YusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430YisPbfree,insidean	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB430YL	文件：131.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430YusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430YisPbfree,insidean	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT430	文件：80.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT430usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOT430isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Fea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT430	文件：999.76 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitching •SynchronousRectification •DC/ACInverters •LEDBacklighting	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT430	文件：304.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11.5mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AWS430	文件：370.09 Kbytes Page：3 Pages	AutomaticWeatherStationAWS430 Features •Specificallydesignedforcritical maritimeweatherapplications •High-qualityanti-corrosivedesign •ComplieswithLloyd’sRegister andIEC60945requirementsfor applicableparts •Highdataavailability •Built-intestproceduresanddata validation •Accuratetruewindc	VAISALAVaisala 维萨拉维萨拉（北京）测量技术有限公司	VAISALA
B430	文件：80.89 Kbytes Page：1 Pages	SiliconBridgeRectifier	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL

详细参数

型号：
AN430A
功能描述：
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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