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AMVSE05A045规格书详情
描述 Description
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making them suitable for switching operation. However, the reverse current (IR) is larger than that of conventional PN diodes.
应用 Application
电源供应
工业设备
汽车（信息娱乐）
汽车（行车安全）
技术参数
- 制造商编号
：AMVSE05A045
- 生产厂家
：Kyocera
- AEC-Q
：AEC-Q101
- Outline
：TO-277
- VRRM [V]
：45V
- Io [A]
：5.0A
- IFSM [A]
：100.0A
- IR [mA]
：0.200mA
- VFM [V]
：0.55V
- @IFM [A]
：5.0A
- 工作温度范围
：-55℃ ~ 150℃
- Rth(j-c) [°C/W]
：2.5°C/W
- Connection type
：L
- 包装形式
：Reel
- 每包数量
：3000
- 质量
：0.086g
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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