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AML1005H3N9STS中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

AML1005H3N9STS
厂商型号

AML1005H3N9STS

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

176.65 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 11:12:00

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AML1005H3N9STS规格书详情

FEATURES

• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

产品属性

  • 型号:

    AML1005H3N9STS

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FDK
2023+
9373
进口原装现货
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FDK
23+
ROHS
3970
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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23+
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