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BU4311G	文件：386.21 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageFreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries GeneralDescription ROHM’sBU42xxandBU43xxseriesareCMOSVoltageDetectorICswithadjustableoutputdelay.Itisahigh-accuracy,lowcurrentconsumptionVoltageDetectorICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtwooutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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BU4311G-TR	文件：502.96 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageFreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries GeneralDescription ROHM’sBU42xxandBU43xxseriesareCMOSVoltageDetectorICswithadjustableoutputdelay.Itisahigh-accuracy,lowcurrentconsumptionVoltageDetectorICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtwooutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU4311G-TR	文件：454.99 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageFreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries GeneralDescription ROHM’sBU42xxandBU43xxseriesareCMOSVoltageDetectorICswithadjustableoutputdelay.Itisahigh-accuracy,lowcurrentconsumptionVoltageDetectorICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtwooutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU4311G-TR	文件：391.77 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageFreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries GeneralDescription ROHM’sBU42xxandBU43xxseriesareCMOSVoltageDetectorICswithadjustableoutputdelay.Itisahigh-accuracy,lowcurrentconsumptionVoltageDetectorICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtwooutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C4311A	文件：73.59 Kbytes Page：1 Pages	2C20SOLIDTCSR-PVCPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CED4311	文件：407.16 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-33A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED4311	文件：621.77 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-33A,RDS(ON)=18mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=30mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM4311	文件：108.01 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-9.3A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM4311	文件：1.03789 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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详细参数

型号：
AME4311EEEV
制造商：
AME
制造商全称：
Analog Microelectronics
功能描述：
Low Voltage Shunt Regulator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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