AM60R570D数据手册AP SEMI中文资料规格书
AM60R570D规格书详情
特性 Features
Grand Turbo MOSFET process technology.
▪Optimized the cell structure.
▪Low on-resistance and low gate charge.
▪Featuring low switching and drive losses.
▪Fast switching and reverse body recovery.
▪High ruggedness and robustness.
技术参数
- 制造商编号
：AM60R570D
- 生产厂家
：AP SEMI
- Polarity
：N
- BVdss (V)
：600
- Id (A)
：7
- Rds(on) (Ω)
：typ0.48
- Qg (nC)
：19
- Package
：TO252
- status
：Mass
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMD |
25+ |
DIP-24 |
83 |
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询价 | ||
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16+ |
DIP |
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AM |
24+ |
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22+ |
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AMD |
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AMD |
24+ |
DIP24 |
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AMD |
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AMD |
22+ |
PLCC-28 |
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AM |
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