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AM1011-070	文件：43.62 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND AVIONICS APPLICATIONS DESCRIPTION TheAM1011-070deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforL-BandAvionicstransponder/interrogatorpulsedoutputanddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYG	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM1011-075	文件：64.37 Kbytes Page：4 Pages	L-BAND AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION TheAM1011-075deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforL-BandAvionicstransponder/interrogatorpulsedoutputanddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■10:1VSWRCAPABILITY ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM1011-075	文件：83.9 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIAM1011-075isahighpowerClassCtransistordesignedforL-BandAvionicspulseoutputanddriverapplications. FEATURES: •InternalInput/OutputMatchingNetworks •PG=9.2dBmin.at75W/1090MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AM1011-300	文件：59.29 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS DESCRIPTION TheAM1011-300isarugged,ClassCcommonbasedevicespecificallydesignedfornewModeSinterrogatorandtransponderapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTING ■LOWRFTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGEOMETRY ■METAL/CERAMIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM1011-400	文件：92.25 Kbytes Page：6 Pages	L-BAND AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION TheAM1011-400deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforTCASandMode-Spulsedoutputanddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■15:1VSWRCAPABILITY ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM1011-500	文件：41.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIAM1011-500isaCommonBaseDeviceDesignedforPulsedL-BandRadarAmplifierApplications. FEATURESINCLUDE: •Input/OutputMatching •GoldMetallization •HermeticMetal/CeramicPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AM1011-500	文件：54.32 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS DESCRIPTION TheAM1011-500deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforL-BandAvionicapplicationsinvolvinghighpulseburstdutycycles. ■POUT=500WMIN.WITH8.5dBMIN.GAIN ■10:1LOADVSWRCAPABILITY@10µS.,1DUTY ■SIXPAC™HERMETICMETAL/CERAMICPACKAGE ■E	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
AM1011
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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更多AM1011供应商更新时间2025-7-24 18:20:00

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