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AIT4C60B	文件：262.46 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AIT4C60B；Package：TO-220；3 Quadrants Triacs GeneralDescription Highcurrentdensityduetomesatechnology.theAIT4CtriacseriesissuitableforgeneralpurposeACswitching.TheycanbeusedasanON/OFFfunctioninapplicationssuchasstaticrelays,heatingregulation,Rectifier-fedDCinductiveloadse.g.DCmotorsandsolenoids,m	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
AIT4C60S	文件：262.46 Kbytes Page：6 Pages	3QuadrantsTriacs GeneralDescription Highcurrentdensityduetomesatechnology.theAIT4CtriacseriesissuitableforgeneralpurposeACswitching.TheycanbeusedasanON/OFFfunctioninapplicationssuchasstaticrelays,heatingregulation,Rectifier-fedDCinductiveloadse.g.DCmotorsandsolenoids,m	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
AIT4C60T	文件：262.46 Kbytes Page：6 Pages	3QuadrantsTriacs GeneralDescription Highcurrentdensityduetomesatechnology.theAIT4CtriacseriesissuitableforgeneralpurposeACswitching.TheycanbeusedasanON/OFFfunctioninapplicationssuchasstaticrelays,heatingregulation,Rectifier-fedDCinductiveloadse.g.DCmotorsandsolenoids,m	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
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AOI4C60	文件：330.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SCD4C60S	文件：24.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifiers	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell

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