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AIMDQ75R027M1H数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

AIMDQ75R027M1H

功能描述

CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V G1 是一款高度坚固的 SiC MOSFET,可实现最佳系统性能和可靠性。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 17:10:00

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AIMDQ75R027M1H规格书详情

描述 Description

CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V G1 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且经济高效的系统设计,从而实现最高的效率和功率密度。创新的顶部冷却封装进一步增强了 CoolSiC ™ 750 V 的强度,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更低的系统和组装成本。

特性 Features

• 高度稳健的 750 V 技术

• 一流的 RDS(on) x Qfr

• 出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG

• 低 Crss/Ciss 和高 Vgsth

• 100% 雪崩测试

• .XT 互连技术,实现一流的热性能

• 尖端顶部冷却封装

应用 Application

• 用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器

技术参数

  • 制造商编号

    :AIMDQ75R027M1H

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)(@ Tj = 25°C)

    :27 mΩ

  • VDSmax

    :750 V

  • Package

    :Q-DPAK

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :CoolSiC™ G1

  • Polarity

    :N

  • Qualification

    :Automotive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA
880000
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22+
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