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AIMCQ120R120M1T中文资料汽车级 CoolSiC ™ MOSFET 1200 V,Q-DPAK(HDSOP-22-3),117 mΩ数据手册Infineon规格书

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厂商型号

AIMCQ120R120M1T

功能描述

汽车级 CoolSiC ™ MOSFET 1200 V,Q-DPAK(HDSOP-22-3),117 mΩ

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 11:09:00

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AIMCQ120R120M1T规格书详情

描述 Description

采用 Q-DPAK 封装的 CoolSiC ™汽车 MOSFET 1200 V 专为满足 800V 汽车架构的 OBC/DC-DC 应用而设计。利用顶部冷却 (TSC) 技术,它可以为客户提供出色的热性能、更容易的组装和降低的系统成本。与背面冷却相比,TSC 提供了优化的 PCB 组装,从而消除了寄生效应并提供更低的杂散电感。

特性 Features

• 0V 关断

• 爬电距离 4.8mm

• 对称引线布局

• .XT 技术

技术参数

  • 制造商编号

    :AIMCQ120R120M1T

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)(@ Tj = 25°C)

    :117 mΩ

  • VDSmax

    :1200 V

  • Package

    :PG-HDSOP-22

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :CoolSiC™ G1

  • Launch year

    :2024

  • Polarity

    :N

  • Currently planned availability until at least

    :2033

  • Qualification

    :Automotive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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