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BC337	文件：224.06 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandamplifierapplications.Especially suitableforAF-driverstagesandlowpower outputstages. ♦Thesetypesarealsoavailablesubdi videdintothreegroups-16,-25,and-40, accordingtotheirDCcurrent	GE GE Industrial Company	GE
BC337	文件：105.98 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC337	文件：38.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage VCBO:BC33750V BC33830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC337	文件：117.48 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC337	文件：31.75 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC337	文件：245.5 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC337	文件：215.03 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedfordriverandoutputstageofaudioamplifiers.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BC337	文件：343.7 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC337	文件：367.75 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC337	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337	文件：167.68 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BC33750V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC337	文件：47.24 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages ComplementtoUTCBC327/328	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC337	文件：82.68 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistorsNPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337	文件：256.769 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC337A	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsBestSuitedforuseinDriverandOutputStagesofAudioAmplifier	CDIL CDIL	CDIL
BC337A	文件：99.45 Kbytes Page：2 Pages	NPNMediumPowerTransistor •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto800mA. •Sourcedfromprocess38.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC337-AP	文件：269.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.8A •Collector-baseVoltage:VCBO=50V(BC337),VCBO=30V(BC338) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginform	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC337G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
AH337J-L
制造商：
ANACHIP
制造商全称：
Anachip Corp
功能描述：
Single Phase Hall Effect Switch

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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