AFT21H350W04GSR6_分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频-恩智浦

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厂家型号：
AFT21H350W04GSR6
制造商：
NXP/恩智浦
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频
封装外壳：
NI-1230S-4 GW
包装：
卷带（TR）
更新时间：
2021-9-14 10:50:00

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原厂料号：AFT21H350W04GSR6品牌：NXP USA Inc.

资料说明：FET RF 2CH 65V 2.11GHZ

AFT21H350W04GSR6是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商NXP/恩智浦生产封装NI-1230S-4 GW的AFT21H350W04GSR6晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
aft21h350w04gsr6
规格书：
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企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
资料说明：
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ

产品属性

类型
描述
产品编号：
AFT21H350W04GSR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.11GHz
增益：
16.4dB
功率 - 输出：
63W
封装/外壳：
NI-1230S-4 GW
供应商器件封装：
NI-1230S-4 GULL
描述：
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ

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AFT21H350W04GSR6

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