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AFT09S282N中文资料720-960 MHz，80 W平均值，28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管数据手册恩XP规格书
AFT09S282N规格书详情
描述 Description
The AFT09S282NR3 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.
特性 Features
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
• Optimized for Doherty Applications
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.
技术参数
- 型号：
AFT09S282N
- 功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 频率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 输出功率：
100 W
- 封装/箱体：
NI-780-4
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
2000 |
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FREESCALE |
24+ |
SMD |
860000 |
原厂原装 |
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FREESCA |
25+ |
NA |
10 |
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23+ |
模块 |
900 |
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AVANTEK |
24+ |
SMA |
2 |
询价 | |||
FREESCALE |
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NA |
72 |
全新原装 研究所指定供货商 |
询价 | ||
Freescale |
23+ |
原厂原封□□□ |
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恩XP |
24+ |
OM |
8000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
OM |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
