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AFBR-S4K11C0125B中文资料1 mm x 1 mm Single Silicon Photo Multiplier, WB-type, 25µm SPAD pitch数据手册Broadcom规格书
| 厂商型号 |
AFBR-S4K11C0125B |
| 参数属性 | AFBR-S4K11C0125B 封装/外壳为4-FBGA，CSPBGA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为传感器变送器的光学传感器-光电二极管；产品描述：SIPM, 1X1MM, MP25, WB, BGA |
| 功能描述 | 1 mm x 1 mm Single Silicon Photo Multiplier, WB-type, 25µm SPAD pitch |
| 封装外壳 | 4-FBGA，CSPBGA |
| 制造商 | Broadcom Broadcom Corporation. |
| 中文名称 | 博通 博通半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 16:12:00 |
| 人工找货 | AFBR-S4K11C0125B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AFBR-S4K11C0125B规格书详情
描述 Description
The Broadcom® AFBR-S4K11C0125B is a single silicon photo multiplier (SiPM) used for ultra-sensitive precision measurements of single photons. The active area is 1.0 x 1.0 mm² with 25 µm SPAD pitch for high photo detection efficiency to replace PMTs, APDs and PIN diodes with AFBR-S4K11C0125B featuring excellent timing properties and low voltage operation.
特性 Features
• 1 x 1 mm² active area, 25 μm microcells
• High photo detection efficiency
• Excellent timing properties
• Replacement for PMTs, APDs and PIN Diodes
• Low voltage operation (typ. about 30 V)
• Cost efficient and robust (MSL1 approved)
简介
AFBR-S4K11C0125B属于传感器变送器的光学传感器-光电二极管。由制造生产的AFBR-S4K11C0125B光学传感器 - 光电二极管光电二极管系列产品可用于检测和测量光。基于类似于整流二极管中的光与半导体结的相互作用，市面上提供了适用于各种用途的器件。有些器件具有适用于窄波长范围的灵敏度，有些器件则具有适用于宽范围的灵敏度。有些器件适用于检测高速信号，例如光纤通信中的信号，有些器件则适用于检测极低光度（甚至单个光子），应用范围从医学成像到测距。
技术参数
更多- 产品编号：
AFBR-S4K11C0125B
- 制造商：
Broadcom Limited
- 类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电二极管
- 系列：
AFBR
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 波长：
430nm
- 二极管类型：
雪崩
- 响应时间：
110ps
- 电流 - 暗（典型值）：
11nA，64nA
- 有效面积：
1mm²
- 工作温度：
-40°C ~ 60°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-FBGA，CSPBGA
- 描述：
SIPM, 1X1MM, MP25, WB, BGA
