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AF10N60S数据手册Anbonsemi中文资料规格书

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厂商型号

AF10N60S

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

Anbonsemi ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

中文名称

安邦 安邦半导体(国际)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-21 9:55:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :AF10N60S

  • 生产厂家

    :Anbonsemi

  • 漏源电压(Vdss)

    :600V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :900 mΩ @ 5A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :156W(Tc)

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