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BB148	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC148	文件：484.99 Kbytes Page：6 Pages	TRANZYSTORYNPN LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC148	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BC148	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC-148	文件：276.76 Kbytes Page：1 Pages	148-LeadChipScalePackageBallGridArray 148-LeadChipScalePackageBallGridArray[CSP_BGA](BC-148) Dimensionsshowninmillimeters *COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMO-195WITHEXCEPTIONTODIMENSIONSINDICATEDBYANASTERISK.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BCR148	文件：497.95 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR148	文件：35.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR148	文件：885.7 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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