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SC1158CS.TR	文件：71.17 Kbytes Page：5 Pages	PROGRAMMABLESYNCHRONOUSDC/DCCONTROLLERFORADVANCEDPROCESSORS DESCRIPTION TheSC1158isalow-cost,fullfeatured,synchronousvoltage-modecontrollerdesignedforuseinsingleendedpowersupplyapplicationswhereefficiencyisofprimaryconcern.Synchronousoperationallowsfortheeliminationofheatsinksinmanyapplications.TheSC1158isidealfo	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
TB1158A	文件：357.29 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter423.1MHz(BW=0.5MHz)SMD5.0mmX7.0mm	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1158A	文件：183.37 Kbytes Page：5 Pages	SMD6.0x3.512MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: Surfacemount6.0mmx3.5mmcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices.	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VB1158M	文件：577.71 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •100RgandUISTested •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1158N	文件：615.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1158N	文件：602.45 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1158N	文件：624.01 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1158N	文件：637.86 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET FEATURES Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses 100RgTested 100AvalancheTested ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1158N	文件：658.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1158N	文件：542.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
ADS1158EVM
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - 模数转换器（ADC）
包装：
盒
A/D 转换器数：
1
位数：
16
采样率（每秒）：
125k
数据接口：
SPI
输入范围：
0 ~ 5V
不同条件时功率（典型值）：
42mW @ 125kSPS
使用的 IC/零件：
ADS1158
所含物品：
板
描述：
EVALUATION MODULE FOR ADS1158

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