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ADRF5519数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频前端(LNA+PA)规格书PDF

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厂商型号

ADRF5519

参数属性

ADRF5519 封装/外壳为40-VFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频前端(LNA+PA);产品描述:2.6 GHZ RECEIVER FRONT END

功能描述

双通道,2.3 GHz至2.8 GHz,20 W接收器前端
2.6 GHZ RECEIVER FRONT END

封装外壳

40-VFQFN 裸露焊盘,CSP

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:56:00

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ADRF5519规格书详情

描述 Description

ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块,专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益(频率为2.6 GHz)以及32 dBm(典型值)的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下,两级LNA的一级处于旁路状态,在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下,LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在传输操作中,RF输入连接到终端引脚(ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB)。该开关提供0.5 dB的低插入损耗,并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率(9 dB峰值/平均值比 (PAR))。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。

特性 Features

• 集成式双通道 RF 前端

• 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片

• 片内偏置和匹配

• 单电源供电



• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力

• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期:43 dBm



• 增益

• 高增益模式:2.6 GHz 时为 35 dB(典型值)

• 低增益模式:2.6 GHz 时为 14 dB(典型值)



• 低噪声指数

• 高增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)

• 低增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)

应用 Application

• 无线基础设施
• TDD大规模多路输入和多路输出以及有源天线系统
• 基于TDD的通信系统

简介

ADRF5519属于RF/IF射频/中频RFID的射频前端(LNA+PA)。由制造生产的ADRF5519射频前端(LNA + PA)本系列中的产品是各种集成电路,其中集成了射频 (RF) 信号链连接到系统天线的部分中常见的一种或多种功能,如低噪声放大器 (LNA) 和可编程放大器 (PA)。任何给定器件所含的实际功能各不相同,相比旨在提供更高应用灵活性的器件,针对相对较窄应用的器件通常集成更大一部分必要的信号链。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ADRF5519BCPZN-R7

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频前端(LNA + PA)

  • 包装:

  • 射频类型:

    通用

  • 频率:

    2.3GHz ~ 2.8GHz

  • 特性:

    SPDT

  • 封装/外壳:

    40-VFQFN 裸露焊盘,CSP

  • 供应商器件封装:

    40-LFCSP-VQ(6x6)

  • 描述:

    2.6 GHZ RECEIVER FRONT END

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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