ADRF5519数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频前端(LNA+PA)规格书PDF

厂商型号 |
ADRF5519 |
参数属性 | ADRF5519 封装/外壳为40-VFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频前端(LNA+PA);产品描述:2.6 GHZ RECEIVER FRONT END |
功能描述 | 双通道,2.3 GHz至2.8 GHz,20 W接收器前端 |
封装外壳 | 40-VFQFN 裸露焊盘,CSP |
制造商 | ADI Analog Devices |
中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 16:56:00 |
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ADRF5519规格书详情
描述 Description
ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块,专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。
在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益(频率为2.6 GHz)以及32 dBm(典型值)的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下,两级LNA的一级处于旁路状态,在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下,LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。
在传输操作中,RF输入连接到终端引脚(ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB)。该开关提供0.5 dB的低插入损耗,并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率(9 dB峰值/平均值比 (PAR))。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。
特性 Features
• 集成式双通道 RF 前端
• 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
• 片内偏置和匹配
• 单电源供电
• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期:43 dBm
• 增益
• 高增益模式:2.6 GHz 时为 35 dB(典型值)
• 低增益模式:2.6 GHz 时为 14 dB(典型值)
• 低噪声指数
• 高增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
• 低增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
应用 Application
• 无线基础设施
• TDD大规模多路输入和多路输出以及有源天线系统
• 基于TDD的通信系统
简介
ADRF5519属于RF/IF射频/中频RFID的射频前端(LNA+PA)。由制造生产的ADRF5519射频前端(LNA + PA)本系列中的产品是各种集成电路,其中集成了射频 (RF) 信号链连接到系统天线的部分中常见的一种或多种功能,如低噪声放大器 (LNA) 和可编程放大器 (PA)。任何给定器件所含的实际功能各不相同,相比旨在提供更高应用灵活性的器件,针对相对较窄应用的器件通常集成更大一部分必要的信号链。
技术参数
更多- 产品编号:
ADRF5519BCPZN-R7
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频前端(LNA + PA)
- 包装:
带
- 射频类型:
通用
- 频率:
2.3GHz ~ 2.8GHz
- 特性:
SPDT
- 封装/外壳:
40-VFQFN 裸露焊盘,CSP
- 供应商器件封装:
40-LFCSP-VQ(6x6)
- 描述:
2.6 GHZ RECEIVER FRONT END
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADI(亚德诺) |
24+ |
N/A |
12000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ADI |
24+ |
40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP |
3660 |
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ADI/亚德诺 |
23+ |
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ADI(亚德诺) |
24+ |
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ADI(亚德诺) |
23+ |
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ADI(亚德诺) |
23+ |
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ADI(亚德诺) |
24+ |
N/A |
10000 |
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ANALOG DEVICES |
24+ |
N/A |
4388 |
原装原装原装 |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
25+ |
20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
询价 |