ADR423数据手册集成电路(IC)的电压基准规格书PDF

厂商型号 |
ADR423 |
参数属性 | ADR423 封装/外壳为8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的电压基准;产品描述:IC VREF SERIES 0.13% 8MSOP |
功能描述 | 超精密、低噪声、3.00 V XFET®基准电压源 |
封装外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
制造商 | ADI Analog Devices |
中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 22:58:00 |
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ADR423规格书详情
描述 Description
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。
利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术,可以使电压随温度变化的非线性度降至低点。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比,还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度,适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚,在±0.5%范围内调整输出电压,其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级,额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围,提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装(后者比前者小30%)。
特性 Features
• 低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
• ADR420: 1.75 μV 峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV峰峰值
ADR425: 3.4 μV峰峰值
• 低温度系数:3 ppm/°C
• 长期稳定性:50 ppm/1000小时
• 负载调整率:70 ppm/mA
• 电压调整率:35 ppm/V
• 低迟滞:40 ppm(典型值)
• 宽工作电压范围
ADR420: 4 V至18 V
ADR421: 4.5 V 至 18 V
ADR423: 5 V 至 18 V
ADR425: 7 V 至18 V
• 静态电流:0.5 mA(最大值)
• 高输出电流:10 mA
• 宽温度范围:−40°C至+125°C
应用 Application
• 精密数据采集系统
• 高分辨率转换器
• 电池供电仪器仪表
• 便携式医疗仪器
• 工业过程控制系统
• 精密仪器
• 光纤网络控制电路
简介
ADR423属于集成电路(IC)的电压基准。由制造生产的ADR423电压基准产品属于基准电压源系列,可通过相对较不稳定的电源提供稳定的电势,电压值始终保持恒定,以便在测量、控制和类似应用中用作比较的标准。其功能行为可能与用于大功率调节的线性稳压器相似,但基准电压源器件却不适合用于此类用途。用作比较标准时,若输出电流容量或实际负载电流增大,其性能通常会降低。
技术参数
更多- 产品编号:
ADR423ARMZ-REEL7
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 电压基准
- 系列:
XFET®
- 包装:
卷带(TR)
- 参考类型:
系列
- 输出类型:
固定
- 电压 - 输出(最小值/固定):
3V
- 容差:
±0.13%
- 温度系数:
10ppm/°C
- 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz:
2µVp-p
- 电压 - 输入:
5V ~ 18V
- 电流 - 供电:
600µA
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-MSOP
- 描述:
IC VREF SERIES 0.13% 8MSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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