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CPV363MU	文件：453.41 Kbytes Page：8 Pages	IGBTSIPMODULEUltra-FastIGBT Description TheIGBTtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)PowerModules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpow	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CS363	文件：323.78 Kbytes Page：8 Pages	HIGHPOWERTRIODE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CSD363	文件：264.66 Kbytes Page：3 Pages	TO-220PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL
DT363	文件：84.1 Kbytes Page：2 Pages	Safetyswitch,doublethrow,fusible,100A,600VAC/VDC,3poles,75hp,NEMA1	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
DT363FGK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DT363FRK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DT363FWK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DT363RB	文件：88.93 Kbytes Page：2 Pages	Safetyswitch,doublethrow,fusible,100A,600VAC/VDC,3poles,75hp,NEMA3R,boltonprovision	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
DT363UDK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DT363UGK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DT363URK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DT363UWK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DTC363E	文件：704.49 Kbytes Page：9 Pages	DIGITALTRANSISTOR Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigne	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC363EK	文件：105.46 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC363EK	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC363ES	文件：105.46 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC363ES	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC363EU	文件：105.46 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC363EU	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC363T	文件：704.49 Kbytes Page：9 Pages	DIGITALTRANSISTOR Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigne	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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更多ADR363BRJZ供应商更新时间2024-6-14 19:03:00

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