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ADN4622	文件：3.66195 Mbytes Page：27 Pages	5.7 kV rms/1.5 kV rms, Quad-Channel LVDS 2.5 Gigabit Isolators GENERALDESCRIPTION TheADN4622/ADN46241arequad-channel,signalisolated,lowvoltage differentialsignaling(LVDS)buffersthatoperateatupto 2.5Gbpswithverylowjitter.ThedevicesintegrateAnalogDevices, Inc.,iCoupler®technology,enhancedforhigh-speedoperation toprovidedrop	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADN4622BRNZ	文件：3.66195 Mbytes Page：27 Pages	5.7 kV rms/1.5 kV rms, Quad-Channel LVDS 2.5 Gigabit Isolators GENERALDESCRIPTION TheADN4622/ADN46241arequad-channel,signalisolated,lowvoltage differentialsignaling(LVDS)buffersthatoperateatupto 2.5Gbpswithverylowjitter.ThedevicesintegrateAnalogDevices, Inc.,iCoupler®technology,enhancedforhigh-speedoperation toprovidedrop	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADN4622BRNZ-RL	文件：3.66195 Mbytes Page：27 Pages	5.7 kV rms/1.5 kV rms, Quad-Channel LVDS 2.5 Gigabit Isolators GENERALDESCRIPTION TheADN4622/ADN46241arequad-channel,signalisolated,lowvoltage differentialsignaling(LVDS)buffersthatoperateatupto 2.5Gbpswithverylowjitter.ThedevicesintegrateAnalogDevices, Inc.,iCoupler®technology,enhancedforhigh-speedoperation toprovidedrop	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AO4622	文件：189.19 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4622usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplications. ProductSummary N-ChannelP-	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4622	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	20VDualPN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4622	文件：1.98075 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=20V ID=7.3A(VGS=4.5V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4622	文件：2.69506 Mbytes Page：9 Pages	N-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchTechnologyToprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdevicemaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplication. Features： N-Channel:VDS=20V,ID=6.8A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AO4622	文件：1.23216 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •MotorDrive •MobilePowerBank	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4622-HF	文件：3.13992 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=20V ID=7.3A(VGS=4.5V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BL-R4622Z	文件：176.45 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMP(RECTANGULARTYPE)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE

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