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660#20ACT47	文件：91.4 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageCeramicDCDiscCapacitorswithAxialLeads	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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660#20ACT68	文件：91.4 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageCeramicDCDiscCapacitorswithAxialLeads	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
660#20ACT68	文件：91.4 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageCeramicDCDiscCapacitorswithAxialLeads	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
660#20AED10	文件：91.4 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageCeramicDCDiscCapacitorswithAxialLeads	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
660#20AED10	文件：91.4 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageCeramicDCDiscCapacitorswithAxialLeads	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
ADM660ARZ	文件：179.17 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSwitched-CapacitorVoltageConverters	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM660ARZ-REEL	文件：179.17 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSwitched-CapacitorVoltageConverters	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ATS660LSB	文件：193.62 Kbytes Page：17 Pages	TrueZeroSpeedHallEffectAdaptiveGearToothSensors FEATURESANDBENEFITS ■Fullyoptimizeddifferentialdigitalgear-toothsensor ■Single-chipsensingICforhighreliability ■Highvibrationimmunity ■Precisedutycycle ■Smallmechanicalsize(9mmdiameterx7mmlength) ■Automaticgaincontrolcircuitry(selfcalibration) ■Truezero	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
ATS660LSB	文件：214.7 Kbytes Page：16 Pages	TRUEZERO-SPEED,HALL-EFFECTADAPTIVEGEAR-TOOTHSENSOR TheATS660LSBisanidealgear-toothsensorsolutionforuniformteethtargetsasfoundintoday’sdemandingtransmissionapplications.ThisdigitaldifferentialHall-effectsensoristhechoicewhenrepeatabilityandtimingaccuracycount.TheATS660LSBincorporatespatentedself-calibrationcirc	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
BD660CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD660CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BF660	文件：39.04 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconRFTransistor(ForVHFoscillatorapplications) PNPSiliconRFTransistor ●ForVHFoscillatorapplications	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF660W	文件：59.42 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconRFTransistor(ForVHFoscillatorapplications) PNPSiliconRFTransistor •ForVHFoscillatorapplications	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFU660F	文件：131 Kbytes Page：12 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor Generaldescription NPNsiliconmicrowavetransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Fpackage. Featuresandbenefits ■LownoisehighlinearityRFtransistor ■Highoutputthird-orderinterceptpoint27dBmat1.8GHz ■40GHzfTsilicontechnolo	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU660F	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU660FWB	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BRUS660	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi edi	edi
BTS660P	文件：707.45 Kbytes Page：16 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CAT660	文件：157.47 Kbytes Page：15 Pages	100mACMOSChargePumpInverter/Doubler Description TheCAT660isacharge−pumpvoltageconverter.Itwillinverta1.5Vto5.5Vinputtoa−1.5Vto−5.5Voutput.Onlytwoexternalcapacitorsareneeded.Withaguaranteed100mAoutputcurrentcapability,theCAT660canreplaceaswitchingregulatoranditsinductor.LowerEMIisa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
ADM660ARUZ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
功能：
比率
输出配置：
正或负
拓扑：
充电泵
输出类型：
固定
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
1.5V
电压 - 输入（最大值）：
7V
电压 - 输出（最小值/固定）：
-Vin，2Vin
电流 - 输出：
100mA
频率 - 开关：
25kHz，120kHz
同步整流器：
无
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：
16-TSSOP
描述：
IC REG CHARGE PUMP INV 16TSSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ADM660ARUZ	Analog Devices	23+	16-LeadTSSOP	33680	ADI优势主营型号-原装正品	询价
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更多ADM660ARUZ供应商更新时间2024-5-13 20:19:00

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