ADL9006中文资料2 GHz至28 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC低噪声放大器数据手册ADI规格书

厂商型号 |
ADL9006 |
参数属性 | ADL9006 封装/外壳为32-LFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:2 GHZ TO 30 GHZ LNA |
功能描述 | 2 GHz至28 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC低噪声放大器 |
封装外壳 | 32-LFQFN 裸露焊盘,CSP |
制造商 | ADI Analog Devices |
中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 19:00:00 |
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ADL9006规格书详情
描述 Description
ADL9006是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器提供15.5 dB增益、2.5 dB噪声系数、26 dBm输出三阶交调截点(OIP3)和20 dBm输出功率(1 dB压缩(P1dB)),功耗为53 mA(采用5 V电源)。ADL9006仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现53 mA的电源电流(IDD)。
ADL9006放大器输入和输出内部匹配50 Ω。
ADL9006CHIPS ADL9006CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器提供15.5 dB增益、2.2 dB噪声系数、24 dBm输出三阶交调截点(IP3)、20 dBm输出饱和功率(PSAT)和19 dBm功率输出(1 dB压缩(P1dB)),电源电流(IDD)为55 mA(采用5 V总电源电压时)。ADL9006CHIPS仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现55 mA的IDD。
ADL9006CHIPS放大器输入和输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。
特性 Features
• P1dB:2 GHz 到 6 GHz 时为 20 dBm(典型值)
• PSAT:2 GHz 到 6 GHz 时为 20.5 dBm(典型值)
• 增益:6 GHz 到 28 GHz 范围内为 15.5 dB(典型值)
• 噪声指数:2 GHz 到 20 GHz 范围内为 2.5 dB(典型值)
• OIP3:2 GHz 到 6 GHz 时为 26 dBm(典型值)
• 电源电压:53 mA 时 5 V
• 匹配 50 Ω 的输入输出
应用 Application
• 测试仪器仪表
• 军事与太空
• 本振驱动器放大器
ADL9006CHIPS
• 测试仪器仪表
• 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
• 军事与太空
简介
ADL9006属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的ADL9006射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
技术参数
更多- 产品编号:
ADL9006ACGZN-R7
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 系列:
ADL
- 包装:
托盘
- 频率:
2GHz ~ 28GHz
- P1dB:
20dBm
- 增益:
15.5dB
- 噪声系数:
4dB
- 射频类型:
通用
- 电压 - 供电:
4V ~ 7V
- 电流 - 供电:
53mA
- 测试频率:
2GHz ~ 6GHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
32-LFQFN 裸露焊盘,CSP
- 供应商器件封装:
32-LFCSP-CAV(5x5)
- 描述:
2 GHZ TO 30 GHZ LNA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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