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ADG918BRM	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM-REEL	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ-REEL	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
CMBT918	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
CMBT918	文件：132.42 Kbytes Page：3 Pages	VHF/UHFTRANSISTOR	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CMPT918	文件：78.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT918typeisanNPNsiliconRFtransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighfrequency(VHF/UHF)amplifierandoscillatorapplications. MARKINGCODE:C3B	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT918	文件：450.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN-RFTransistorChip SmallSignalTransistor NPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.5x14.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea2.4x2.2MILS EmitterBondin	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CT918CYF	文件：163.76 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded Description:SMD(shielded)powerinductor Applications:PowersuppliesforVTR,OAequipment,LCDtelevisions,PCnotebooks,portablecommunicationequipment,DC/DCconverters,etc.	CT Central Technologies	CT

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详细参数

型号：
ADG918BCP
制造商：
Analog Devices
功能描述：
RF SWIT SPDT 0MHZ TO 4GHZ 36DB 8LFCSP EP - Tape and Reel

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