ADG849数据手册ADI中文资料规格书

描述 Description

ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 Ω，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。

接通时，ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。

ADG849提供6引脚小型SC70封装，因而非常适合空间受限的应用。

特性 Features

• 超低导通电阻：
0.5 Ω（典型值）
小于0.8 Ω（最大值，5 V电源）

• 出色的失真性能：
0.01 Ω（典型值）
0.2 Ω（最大值，导通电阻RON 平坦度）

• 单电源：+1.8 V至+5.5 V

• 高载流能力:
400mA （连续电流）
600mA （峰值电流，5V）