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BCY791X	文件：54.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistors DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-18metalpackage. NPNcomplements:BCY58andBCY59. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).APPLICATIONS •Switchingandamplification. APPLICATIONS •Switchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD791	文件：109.02 Kbytes Page：2 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ...designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current,highspeedswitchingapplications. •HighCollector-EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=80Vdc(Win)—BD789,BD790=100Vdc(Min)—BD791,BD792 •HighDCCurrentGain@IQ=200mAdchpE=40-250 •LowCollector-EmitterSatura	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD791	文件：188.85 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min) •HighDCCurrentGain@IC=200mAdchFE=40–250 •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=0.5Vdc(Max)@IC=500mAdc APPLICATIONS •Designedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD791	文件：106.15 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSILICON NPNPlasticSiliconPowerTransistor ...designedforlowpoweraudioamplifierandlow–current,highspeedswitchingapplications. •HighCollector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min) •HighDCCurrentGain@IC=200mAdchFE=40–250 •LowCollector–EmitterSaturationV	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多ADG791ABCPZREEL供应商更新时间2024-5-21 16:56:00

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