ADG1436数据手册ADI中文资料规格书

描述 Description

ADG1436是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。LFCSP封装器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。

ADG1436采用iCMOS® 工艺设计。 iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。

导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。iCMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。

产品聚焦整个温度范围内的最大导通电阻：2.6 Ω. 极低失真. 超低功耗：小于0.03 μW。. 16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。

特性 Features

• 导通电阻：1.5 Ω

• 导通电阻平坦度：0.3 Ω

• 通道间导通电阻匹配：0.1 Ω

• 每个通道的连续电流

• LFCSP封装：最高400 mA

• TSSOP封装：最高260 mA



• 额定电源电压：+12 V、±15 V和±5 V

• 无需VL电源

• 3 V逻辑兼容输入

• 轨到轨工作

• 16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装


ADG1436-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）
• 下载ADG1436-EP数据手册

• 军用温度范围（−55℃至+125℃）

• 受控制造基线

• 唯一封装/测试厂

• 唯一制造厂

• 产品变更通知

• 认证数据可应要求提供

• V62/18618-01XE DSCC图纸号